希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製,3

Three terminal light emitting device using rare earth doped III-nitride, 3

Hata, Takayuki*; Okada, Hiroshi*; Furukawa, Yuzo*; Wakahara, Akihiro*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

本研究では、AlGaN/GaNの高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネルに希土類元素Euをイオン注入した三端子型発光デバイスを提案・試作し、赤色発光及びゲートによるON, OFF制御を実現した。また、より効率の良い発光を目指して、Euのイオン注入条件最適化の検討を行った。注入量を110 $^{15}$ cm $^{-2}$ に固定し、注入エネルギーと注入領域を変えて試料の発光強度を比較したところ、注入エネルギーをAlGaN/GaNの界面となる2DEG層中に注入プロファイルが最も高くなる200keVとし、注入領域をドレイン端に近づけたときに最も発光強度が大きくなるという結果を得た。この結果は、2DEG層内の加速された電子と注入Euの衝突によって発光が起こるために、チャネル中のドレイン端近傍に生じた大きな電界によってEu衝突発光が得やすくなったものと解釈できる。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
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発行年月	:
発表会議名	:	2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2010/03
開催都市	:	平塚
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	豊橋技術科学大学

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登録番号 : BB20093695
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