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100keV電子線照射とアニールによるAl-doped 6H-SiCエピ膜中の正孔密度の増加

Increase of hole concentration in Al-doped 6H-SiC epilayer by 100 keV electron irradiation or annealing

柳澤 英樹*; 西野 公三*; 野尻 琢慎*; 松浦 秀治*; 小野田 忍; 大島 武

Yanagisawa, Hideki*; Nishino, Kozo*; Nojiri, Takunori*; Matsuura, Hideharu*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

耐放射線性に優れた半導体として注目されている炭化ケイ素(SiC)に電子線を照射し、照射前後の正孔密度の変化をHall効果測定を用いて評価した。試料は、アルミニウム(Al)が不純物として導入されている六方晶(6H)-SiCを使用した。試料に100keVの電子線を照射した場合、正孔の密度が増加した。FCCS(Free Carrier Concentration Spectroscopy)法による評価から、増加の原因は、深い正孔トラップ密度が減少したことにあることがわかった。一方、200keVの電子線を照射した場合、正孔密度は減少したが、500$$^{circ}$$Cで2分間のアニール処理により、Alアクセプタが回復し正孔密度が回復を示した。

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