C原子変位により生じるAl-doped 4H-SiCのアクセプタ密度の変化について

Change of acceptor densities in Al-doped 4H-SiC by displacement of C atoms

西野 公三*; 柳澤 英樹*; 野尻 琢慎*; 松浦 秀治*; 小野田 忍; 大島 武

Nishino, Kozo*; Yanagisawa, Hideki*; Nojiri, Takunori*; Matsuura, Hideharu*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

耐放射線性に優れた半導体として注目されている炭化ケイ素(SiC)に電子線を照射し、炭素(C)原子が変位することにより生じる空孔型欠陥(V)が、アルミニウムを不純物として添加した六方晶(4H)-SiCに及ぼす影響を調べた。SiCに対して複数のエネルギー(100, 150, 200keV)の電子線を照射する実験から、C原子が変位するための閾値エネルギーが、20eVより大きく32eVよりも小さいことを明らかにした。つまり、200keV電子線照射では、格子位置の原子のうちC原子のみが変位することがわかった。アクセプタ密度の照射量依存性の結果から、C原子が変位した空孔型欠陥と、シリコンサイトにアルミニウムが置換したAlとの複合欠陥が、従来起源不明であった深い準位を持つアクセプタに相当することを示した。

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