Ion channeling study of epitaxy of iron based Heusler alloy films on Ge(111)

イオンチャンネリングを利用したGe(111)上での鉄ホイスラー合金薄膜のエピタキシーの研究

前田佳均; 鳴海一雅; 境誠司; 寺井慶和*; 浜屋宏平*; 佐道泰造*; 宮尾正信*

Maeda, Yoshihito; Narumi, Kazumasa; Sakai, Seiji; Terai, Yoshikazu*; Hamaya, Kohei*; Sado, Taizo*; Miyao, Masanobu*

We investigate the axial orientation of epitaxy of Fe $_{2}$ CoSi with a (A, C) site preference on Ge(111) by using ion channeling, and discuss dominant factors for epitaxy of Fe $_{2}$ MnSi and Fe $_{2}$ CoSi on Ge(111). We conclude that each dominant factor of epitaxy of Fe $_{2}$ MnSi and Fe $_{2}$ CoSi on Ge(111) comes from an atomic displacement due to different preference of site occupations.

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Thin Solid Films
巻	:	519
号	:	24
ページ数	:	p.8461 - 8467
発行年月	:	2011/10
発表会議名	:	Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials; Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2010)
開催年月	:	2010/07
開催都市	:	Tsukuba
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.05.024
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	大阪大学; 京都大学; 九州大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：36.17 分野：Materials Science, Multidisciplinary
Altmetrics	:

登録番号 : BB20101504
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 12689

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