200keV電子線照射によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中の耐放射線性

Radiation resistance of Al-doped 4H-SiC epilayer to 200keV electron irradiation

Nojiri, Takunori*; Nishino, Kozo*; Yanagisawa, Hideki*; Matsuura, Hideharu*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

200keVの電子線をAl(Alminium)をドープすることでp型とした4H-SiC(Silicon Carbide)エピタキシャル基板へ照射した。照射前後で200Kから600Kの範囲で正孔濃度を測定した結果、ドープしたAl濃度が高いほど、正孔密度の減少量が大きいことが明らかになった。電子線のエネルギーが200keVの場合、電子線はSiC結晶中のC原子のみを変位させることができると考えられる。したがって、実験によって得られた正孔密度の減少原因は、C空孔が関与すると結論できた。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2010/09
開催都市	:	長崎
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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受委託・共同研究相手機関	:	大阪電気通信大学

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登録番号 : BB20102155
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