単一の重イオンが6H-SiC MOSFETのドレインに誘起する過渡電流

Transient currents observed from drain contact of 6H-SiC MOSFETs induced by single heavy ion

小野田 忍; 岩本 直也; 牧野 高紘; 児島 一聡*; 野崎 眞次*; 大島 武

Onoda, Shinobu; Iwamoto, Naoya; Makino, Takahiro; Kojima, Kazutoshi*; Nozaki, Shinji*; Oshima, Takeshi

単一の重イオンがSiC MOSFET(Silicon Carbide Metal Oxide Field Effect Transistor)のドレインに入射したときに発生する過渡電流を測定するとともに、Synapsys製デバイスシミュレータを用いて数値解析した。その結果、ドレイン(n)とエピタキシャル層(p)から成るnp接合ダイオード及びソース(n)-エピタキシャル層(p)-ドレイン(n)から成る寄生バイポーラトランジスタにおいて流れる過渡電流がドレイン電流として検出されていることが明らかとなった。さらに、ドレインで収集される電荷量のゲート電圧依存性を調べた結果、寄生バイポーラトランジスタによる電流増幅効果はゲート電圧に依存しないことが計算から明らかとなった。一方、実験結果も同様の傾向を示すことがわかり、寄生バイポーラ増幅効果がSiC MOSFETにて起こっているとの確証を得た。

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