検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

アルファ線を用いたSiCダイオードの中の欠陥評価

Characterization of defects in SiC diodes using alpha particles

岩本 直也; 小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武; 児島 一聡*; 小泉 淳*; 内田 和男*; 野崎 眞次*

Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi; Kojima, Kazutoshi*; Koizumi, Atsushi*; Uchida, Kazuo*; Nozaki, Shinji*

炭化ケイ素(SiC)の耐放射線性を調べる一環として、六方晶(6H)SiCを用いて作製したpnダイオードに1MeV電子線を照射し、電子線照射によってSiCダイオード中に形成された結晶欠陥について、アルファ線を用いた評価を試みた。照射前後で、ダイオードにアルファ線が入射した際の電荷収集の過渡現象を解析した結果、照射後には欠陥に起因する2つの異なるピークが観測された。このピークの活性化エネルギーを求めたところ、それぞれ490meV, 290meVであることが決定された。

no abstracts in English

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.