粒子線によるDNA損傷,2; 電場による電子のトラップ

DNA damage due to particle irradiation, 2; Trapping electrons by electric fields

重粒子線が生体中を通過すると重粒子線の衝突電離過程により生体中の分子が電離する。重粒子線のエネルギーがブラッグピークあたりになると電離する分子の間隔が短くなり、生成したイオンにより強い合成電場を形成される。この強い電場は重粒子線衝突で発生した電子をトラップする。このトラップにより電子と分子の相互作用時間を長くし、放出される電子の数を増やすことが予測できる。この電子はDNA損傷に寄与するので、電子の数の見積りはDNA損傷の研究に不可欠である。本講演では、重粒子線の線種及びエネルギーと生成する合成電場の強さ及びトラップされる電子の量の関係、さらに、このトラップにより分子から放出される電子の量の増加量を示す。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	日本物理学会第66回年次大会
開催年月	:	2011/03
開催都市	:	新潟
開催国	:	日本
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