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Ce$$_x$$La$$_{1-x}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$のCe希薄濃度でのf電子の状態

f electron nature in the impurity state of Ce$$_x$$La$$_{1-x}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$

松本 裕司

Matsumoto, Yuji

Ce$$_x$$La$$_{1-x}$$Ru$$_2$$Si$$_2$$混晶系の、dHvA効果測定を行いその電子状態の研究を行った。特に、Ceの希薄領域においてLaRu$$_2$$Si$$_2$$で観測されたすべてのフェルミ面からの信号の観測に成功しフェルミ面のCe濃度に対する変化の研究を行い、f電子はCeの希薄領域からフェルミ面の形成に寄与していていることを明らかにした。今回新たに、f電子が温度により高温で局在していたものが低温で遍歴にクロスオーバーする変化を、dHvA効果により初めてとらえたのでその結果を報告する。

CeRu$$_2$$Si$$_2$$ is a paramagnetic heavy fermion compound with the electronic specific heat coefficient $$gamma$$ of 350 mJ / mol K$$^2$$. The Kondo temperature of the dilute sample with Ce concentration = 0.02 is about 1 K. We have successfully observed all the dHvA oscillations in the dilute Ce concentration samples with fields in the (001) plane. Moreover, we have observed the variation of the dHvA oscillations with temperature crossing the Kondo temperature. The present observation implies that the f electron state changes continuously from localized to itinerant with decreasing temperature from above to below the Kondo temperature.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

新学術領域研究「重い電子系の形成と秩序化」第3回研究会

開催年月

 :

2011/06

開催都市

 :

柏

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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