単一イオンによって誘起される発光の検出

Detection of luminescence induced by single ion

小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武; 磯谷 順一*

Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi; Isoya, Junichi*

高エネルギーの重イオン1個が半導体に入射することで発生するシングルイベント効果(Single Event Effect: SEE)を評価するための装置であるIPEM(Ion Photon Emission Microscopy)を開発するにあたり、イオンが入射する位置を高分解能で検出する必要がある。イメージインテンシファイアと高感度CCDカメラを用いて、単一イオンがさまざまな発光体に誘起する微弱光を観測することで発光特性を評価した。Ar-150MeV及びN-56MeVをさまざまな発光体(ZnS(Ag), YAG:Ce, Diamond)に入射した時のイオン誘起発光を測定した。ZnS(Ag)にイオンが入射した場合、スポット径がおよそ40m程度であった。一方、YAG:CeやDiamondにイオンが入射した場合、スポット径はおよそ8mであった。位置分解能がスポット径に依存することから、より高位置分解能の測定のためには、YAG:CeやDiamondが適していると結論できる。

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