巨大TMR効果を発現するフラーレン-コバルト化合物/強磁性金属界面の電子・磁気的構造

Electronic and magnetic structure of fullerene-cobalt compound/magnetic metal interface

境 誠司; 松本 吉弘; 大伴 真名歩; 圓谷 志郎; Avramov, P.; 楢本 洋*; 高木 康多*; 中川 剛志*; 横山 利彦*

Sakai, Seiji; Matsumoto, Yoshihiro; Otomo, Manabu; Entani, Shiro; Avramov, P.; Naramoto, Hiroshi*; Takagi, Yasumasa*; Nakagawa, Takeshi*; Yokoyama, Toshihiko*

講演者らは、これまでに、C-Co化合物とCoナノ結晶からなるナノコンポジット薄膜が、C-Co化合物/Co結晶界面における伝導電子の高スピン偏極率に起因する巨大なトンネル磁気抵抗効果を示すことを明らかにした。今回、C-Co化合物/強磁性金属界面において高スピン偏極状態が発現する電子・磁気的要因を解明することを目的にC-Co化合物/Ni(111)二層膜のX線吸収・磁気円二色性分光実験を行った。本実験の結果、Ni(111)上のC-Co化合物はNi薄膜と一致する強磁性的な応答を示すことがわかった。さらに、磁気的応答の膜厚依存性を検討し、Ni(111)上のC-Co化合物は界面から3nmの範囲でNiと強磁性的な交換結合を生じることを明らかにした。界面における伝導電子の高スピン偏極状態は、上記のような磁気的結合と界面を介したNiからC-Co化合物への電荷移動が複合的に作用する結果として発現することが考えられる。

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