• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

イオン注入法により希土類元素を添加したAlGaNの発光特性と注入損傷の検討

Damage and luminescence characteristics of AlGaN implanted with rare-earth ions

岡田 浩*; 若原 昭浩*; Park, J.-H.*; 佐藤 真一郎; 大島 武

Okada, Hiroshi*; Wakahara, Akihiro*; Park, J.-H.*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

半導体中に添加した希土類元素からの発光は照射損傷の影響を受けにくいといわれており、耐放射線性発光デバイスへの応用の可能性が示唆されている。今回は、有機金属気相成長法により作製したAl$$_{0.35}$$Ga$$_{0.65}$$Nに200keVのTbイオンを1.0$$times10^{12}$$/cm$$^2$$から1.4$$times10^{16}$$/cm$$^2$$の範囲でイオン注入し、N$$_2$$+NH$$_3$$混合ガス中で1100$$^{circ}$$C,120秒の高速熱処理を行った。これらの試料に対し、チャネリングラザフォード後方散乱法(RBS)で結晶性を評価し、またカソードルミネッセンス(CL)測定を行い、発光強度の変化を調べた。その結果、1.0$$times10^{13}$$ Tb/cm$$^2$$までは発光強度が増加したが、それ以上のフルエンスでは発光強度が飽和した。一方、RBS測定の結果からは、5.0$$times10^{14}$$ Tb/cm$$^2$$以上でチャネリングイールドが急速に増加するという結果となり、これはCL強度が飽和を示すフルエンスよりも1以上高かった。このことから、注入したTbのうち、結晶欠陥などの影響により限られたTbしか発光に寄与していないことが明らかになった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第6回高崎量子応用研究シンポジウム

開催年月

 :

2011/10

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る