単一イオンによってZnS(Ag), CdWO, YAG:Ce, ダイヤモンドに誘起される微小発光の検出

Single ion induced luminescence from ZnS(Ag), CdWO, YAG:Ce and diamond

小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武

Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

高エネルギー重イオン1個が半導体に誘起するシングルイベント効果(Single Event Effect: SEE)を評価するために、ブロードビームと位置検出技術を組合せてマイクロビーム照射実験と同等の実験、つまりイオン誘起電荷のマッピング像を測定することができる装置の開発に取り組んでいる。本研究では、ZnS(Ag), CdWO, YAG:Ce, ダイヤモンドに、単一の150MeVアルゴン(Ar)ビームを照射したときに観測される微弱光を検出し、開発中の装置に適した発光体を選定した。CdWOを除くすべての発光体でスポット状の発光が確認され、単一イオン検出が可能であることがわかった。ZnS(Ag)にイオンが入射した場合、スポット径は数十mであった。YAG:Ceやダイヤモンドにイオンが入射した場合、スポット径はおよそ8mであった。スポット径はマッピング像の位置分解能を決めることから、ZnS(Ag)よりも、YAG:Ceやダイヤモンドの方が当該装置に適していることが明らかとなった。

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