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Cluster effect on projected range of 30 keV C$$_{60}$$$$^{+}$$ in silicon

Si中での30keV C$$_{60}$$$$^{+}$$の投影飛程に対するクラスター効果

森田 陽亮*; 中嶋 薫*; 鈴木 基史*; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一; Vandervorst, W.*; 木村 健二*

Morita, Yosuke*; Nakajima, Kaoru*; Suzuki, Motofumi*; Narumi, Kazumasa; Saito, Yuichi; Vandervorst, W.*; Kimura, Kenji*

あらかじめ表面に非晶質層を作製したSiウェファーに、30keV C$$_{60}$$$$^{+}$$と0.5keV C$$^{+}$$を室温で2$$times$$10$$^{15}$$ atoms/cm$$^{2}$$注入し、注入した炭素の深さ分布を、高分解能ラザフォード後方散乱法を用いて測定した。C$$_{60}$$$$^{+}$$注入に対するCの平均深さは6.1nmであり、一方、C$$^{+}$$注入の場合は4.0nmとなり、投影飛程に対する顕著なクラスター効果を観測した。

Pre-amorphized silicon wafers are implanted with 30 keV C$$_{60}$$$$^{+}$$ and 0.5 keV C$$^{+}$$ ions at room temperature with fluences about 2$$times$$10$$^{15}$$ atoms/cm$$^{2}$$. The depth profiles of implanted carbon are measured using high-resolution Rutherford backscattering spectroscopy. The observed average depth of C for the C$$_{60}$$$$^{+}$$ implantation is 6.1 nm while that for the C$$^{+}$$ implantation is 4.0 nm, showing a large cluster effect on the projected range.

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