イオンを照射したSi表面の損傷に対するクラスター効果 ions鳴海 一雅; 楢本 洋*; 山田 圭介; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 森田 陽亮*; 中嶋 薫*; 木村 健二*; 前田 佳均
Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi*; Yamada, Keisuke; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Morita, Yosuke*; Nakajima, Kaoru*; Kimura, Kenji*; Maeda, Yoshihito
Si単結晶に10-540keVのCイオンを室温で照射し、照射損傷をRBS/チャネリング法で評価した。表面損傷ピーク強度の照射量依存性より、Cイオン1個の衝撃による弾き出しを受けたSi原子数を求めた。また、同速度のCイオンによる弾き出しを受けたSi原子数をSRIM2008のシミュレーションにより求めた。入射イオンのエネルギーに対して後者は単調に増加するが、前者は飽和する傾向を示した。炭素原子1個あたりの弾き出しを受けたSi原子数の比を取ってクラスター効果を評価すると、100keV近辺をピークとする依存性を示し、ピークでは50程度となった。このエネルギー依存性は、衝突カスケードの粗密で定性的に説明できる。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2011/12 |
開催都市 |
: | 東京 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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