X-ray Raman scattering study on the valence transition of EuPdSi

X線ラマン散乱によるEuPdSiの価数転移の観測

稲見 俊哉; 石井 賢司; 吉田 雅洋; 光田 暁弘*; 田口 宗孝*; Shin, S.*

Inami, Toshiya; Ishii, Kenji; Yoshida, Masahiro; Mitsuda, Akihiro*; Taguchi, Munetaka*; Shin, S.*

X線吸収分光法(XAS)による、希土類のM吸収端やN吸収端での内殻励起スペクトルは、4f電子の価数や空間対称性,混成の程度などを検出できる有力な手法として知られている。しかしながら、軟X線を用いるこの手法は物質に対する侵入長が短いため、例えば、高圧下の実験等は不可能である。X線ラマン分光法はX線の非弾性過程を利用する手法で、X線吸収スペクトルを得る代替法として知られている。硬X線を用いるので、バルク敏感で極限環境の実現も比較的たやすく、近年、希土類やアクチノイド化合物の電子構造の研究に用いられ始めている。今回は、このX線ラマン散乱法の物性研究への適用可能性を確認するため、150K近傍で急峻でかつ大きな価数転移を示すEuPdSiを試料としてテスト実験を行い、エネルギー損失スペクトルに、130eV近傍にEuの遷移に対応する明瞭な構造を観測することに成功した。

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