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高エネルギー重イオン照射による$$beta$$-FeSi$$_{2}$$半導体中のナノ金属相作製

Nanostructural changes of iron disilicide ($$beta$$-FeSi$$_{2}$$) thin films by high energy heavy ion irradiation

笹瀬 雅人*; 岡安 悟  ; 山本 博之

Sasase, Masato*; Okayasu, Satoru; Yamamoto, Hiroyuki

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$は光通信材料等への応用が期待される半導体物質である。一方これと組成の極めて近い$$alpha$$-FeSi$$_{2}$$は金属相であり、イオン照射等により局所的に相転移を起こすことができれば、その物性制御に極めて有効である。本研究では$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜に高エネルギー重イオンを照射し、これにより生じる相変化について透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察を行った。この結果、得られたTEM像からビームの照射方向に沿って平均直径6nm程度の円柱状欠陥が生成していることが観察された。さらに、電子線回折法により欠陥内において$$beta$$相から$$alpha$$相への構造変化が生じていることが確認された。

Nanostructural changes of iron disilicide ($$beta$$-FeSi$$_{2}$$) thin films has been performed by high energy heavy ion irradiation.

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