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Fe$$_{2}$$MnSi/Ge(111)エピタキシャル界面:相互拡散のMn組成依存性

Dependence of Mn content on interdiffusion behaviors at Fe$$_{2}$$MnSi/Ge(111) interfaces

松倉 武偉*; 中島 孝仁*; 西村 健太郎*; 鳴海 一雅; 境 誠司; 前田 佳均

Matsukura, Bui*; Nakajima, Takahito*; Nishimura, Kentaro*; Narumi, Kazumasa; Sakai, Seiji; Maeda, Yoshihito

Fe$$_{3-x}$$Mn$$_{x}$$Si/Ge界面での相互拡散挙動とMn組成について検討した。低温MBEで作製したFe$$_{3-x}$$Mn$$_{x}$$Si/Ge(111)試料(x=0.36, 0.72, 0.84)を、真空中450$$^{circ}$$Cでアニールした。ラザフォード後方散乱法から得た組成の深さ分布をもとに、拡散流束,俣野界面の形成位置とその組成を求めた。Fe$$_{3-x}$$Mn$$_{x}$$Si/Ge拡散対では、Ge基板に向かうFe, Mnの正拡散流束と逆向きのGeの負流束がバランスした相互拡散が支配的で、Siの正流束は非常に小さいことがわかった。これは、Fe$$_{3}$$Si/Ge拡散対で得られた拡散挙動と同様である。3種類の組成いずれも、2時間アニール後、界面組成はFeGe, MnGe, Geの三相領域へと大きく変化し、さらにアニール時間を24時間まで長くすると、それぞれの原子の拡散流束が非常に小さくなり(近平衡状態)、FeGe-MnGe化合物相平衡線に接近していくことがわかった。Fe$$_{3}$$Si/Geでは、FeとGeの相互拡散が支配するためFeSi-FeGe化合物相平衡線に接近した。この結果とFe$$_{3-x}$$Mn$$_{x}$$Si/GeでのFeGe-MnGe相平衡線上への拡散経路はよく整合している。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

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号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2012年(平成24年)春季第59回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2012/03

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

京都大学

Access

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