結晶成長条件下におけるGaAs(001)表面構造

GaAs surface under molecular-beam epitaxial growth conditions

高橋 正光

Takahashi, Masamitsu

結晶成長条件下のGaAs(001)表面構造をその場X線回折により研究した。分子線エピタキシー真空槽とX線回折計とを一体化した装置を用い、ヒ素雰囲気・成長温度下におけるGaAs(001)表面の原子配列を定量的に決定した。放射光の高い角度分解能により、(24)構造から他の構造に相転移するさいの構造の乱れを評価することができた。放射光のエネルギー可変性を利用して、c(44)構造の元素選択的な解析が可能になり、Ga-Asダイマー形成の直接的証拠が得られた。

Surface structures of GaAs(001) under growth conditions have been investigated using in situ X-ray diffraction. The atomic arrangements of GaAs(001) surface stabilized at an elevated temperature under as pressure were quantitatively determined in a molecular-beam epitaxy chamber integrated with an X-ray diffractometer. With the help of high angular resolution of synchrotron radiation, disordered structures appearing in the transition from (24) to other phases were clarified. Energy tunability of synchrotron X-rays allowed for element-specific analysis of the c(44) structure, providing direct evidence for Ga-As heterodimer formation.