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Thickness dependence of secondary-electron yield from carbon foils bombarded with 62.5-300-keV/u H$$_{2}$$$$^{+}$$ and C$$_{2}$$$$^{+}$$ ions

62.5-300keV/u H$$_{2}$$$$^{+}$$とC$$_{2}$$$$^{+}$$によりイオン衝撃された炭素薄膜からの二次電子収量の厚さ依存性

鳴海 一雅; 高橋 康之*; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 山田 圭介; 石川 法人   ; 須貝 宏行*; 前田 佳均

Narumi, Kazumasa; Takahashi, Yasuyuki*; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Yamada, Keisuke; Ishikawa, Norito; Sugai, Hiroyuki*; Maeda, Yoshihito

ビーム軸に対して45$$^{circ}$$傾けた非晶質炭素薄膜(厚さ1-100$$mu$$g/cm$$^{2}$$)に62.5-300keV/uのH$$_{2}$$$$^{+}$$あるいはC$$_{2}$$$$^{+}$$を照射し、薄膜の前方(下流)に放出された二次電子収量$$gamma$$$$_{F}$$を測定した。近接効果の目安となる二次電子収量比R$$_{F}$$=$$gamma$$$$_{F}$$(2)/2$$gamma$$$$_{F}$$(1)はH$$_{2}$$$$^{+}$$では1より大きく、C$$_{2}$$$$^{+}$$では1より小さくなった。ここで、$$gamma$$$$_{F}$$(1)と$$gamma$$$$_{F}$$(2)はそれぞれ速度が等しい単原子イオン、2原子分子イオンによる二次電子収量である。薄膜出口での構成イオンの核間距離とR$$_{F}$$との関係を評価したところ、核間距離が約1nmより小さいところではR$$_{F}$$は核間距離に依存して変化し、それが入射イオンの速度に依存することがわかった。一方、核間距離が約1nmより大きくなるとR$$_{F}$$は核間距離には依存せず一定になるが、入射イオンの速度には依存し、かつ1にはならないことがわかった。今回得られたR$$_{F}$$の核間距離依存性とエネルギー損失に対する近接効果の核間距離依存性との比較、さらにR$$_{F}$$の入射イオン速度依存性と同じ速度領域でのエネルギー損失比の速度依存性との類似性から、二次電子放出に対する近接効果は固体中の電子を励起する過程、励起された電子が表面まで輸送される過程の2つの寄与からなることに加えて、前者は核間距離が約1nmより小さい場合に、後者は核間距離が約1nmより大きい場合にそれぞれ支配的であることを明らかにした。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

8th International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter (SHIM 2012)

開催年月

 :

2012/10

開催都市

 :

Kyoto

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

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TIARA(イオン照射研究施設)

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