単層グラフェン/Ni(111)薄膜における界面スピン再配列

Interface spin-reorientation in single-layer graphene / Ni(111) thin film

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 大伴 真名歩; 楢本 洋*; Avramov, P.; 境 誠司

Matsumoto, Yoshihiro; Entani, Shiro; Otomo, Manabu; Naramoto, Hiroshi*; Avramov, P.; Sakai, Seiji

グラフェンへのスピン注入効率を大きく左右するグラフェン/強磁性金属(FM)電極界面の磁気状態の解明を目的に、Ni(111)薄膜上に単層グラフェン(SLG)をエピタキシャル成長させた二層構造についてサブ・ナノメーターオーダーの深さ分解能を持つX線磁気円二色性(XMCD)分光解析を行った。Ni L端励起XMCD測定からSLG/Ni界面近傍に存在するNi原子層において垂直磁気異方性(PMA)が生じていることが明らかとなった。またPMAの発現にはC-Ni間に生じる-d混成が大きく関与していることも明らかとなった。C K端励起XMCD測定からは共鳴励起状態において強いXMCD信号を室温下で検出することに成功した。これは界面近傍に存在するNi原子の磁化によりグラフェン中にスピン偏極が誘起されたことによるものと推察される。

no abstracts in English