Si(110)表面へのGe蒸着による新規低次元ナノ構造形成

Unique surface structures of Ge covered Si(110) surface

Yokoyama, Yuta; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito

本研究では、長周期1次元構造を有するSi(110)-162再構成表面上へGeを真空蒸着することで、新奇Si-Geナノ構造の作製を目指した。室温の表面へGeを1原子層ほど蒸着した後、約700 $^{circ}$ Cで加熱することで、基板のSi(110)-162構造とは異なるストライプ構造を持つ再構成表面が形成された。これは、表面のSi原子とGe原子がミキシングを起こしたSi-Geによる構造であると考えられる。また、この構造はこれまでに報告されているSi(110)表面上Si-Ge構造とも異なることから、新しい再構成構造であるといえる。この構造は1次元異方性を有することから、本表面上へ作製した薄膜への異方的ストレス印加が期待される。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2013年(平成25年)第60回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2013/03
開催都市	:	厚木
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	第4研究棟
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登録番号 : BB20123467
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