A Study on the artifact external quantum efficiency of Ge bottom subcells in triple-junction solar cells

三接合太陽電池におけるGeボトムセルのアーチファクト外部量子効率

Sugai, Mitsunobu*; Harada, Jiro*; Imaizumi, Mitsuru*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

三接合太陽電池のGeボトムセルは、分光感度測定において波長700-800nm付近に見かけ上の外部量子効率を発生させ、GaAsミドルセルの外部量子効率を見かけ上減少させる。この現象は「アーチファクト」と呼ばれているが、その原因は明らかになっていない。本研究では、イオン照射によるアーチファクトの変化を調べ、GaAsミドルセルが劣化するとアーチファクトも減少することから、GaAsのフォトルミネッセンスがアーチファクトの原因のひとつであることが示唆された。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-39) (CD-ROM)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.0715 - 0720
発行年月	:	2013/06
発表会議名	:	39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC-39)
開催年月	:	2013/06
開催都市	:	Tampa
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.6744251
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

Access	:	- Accesses
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登録番号 : BB20130768
抄録集掲載番号 : 43000766
論文投稿番号 : 15868

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