Radiation study in quantum well III-V multi-junction solar cells

量子井戸III-V族多接合太陽電池の放射線照射効果

Gonzlez, M.*; Hoheisel, R.*; Lumb, M.*; Scheiman, D.*; Bailey, C. G.*; Lorentzen, J.*; Maximenko, S.*; Messenger, S. R.*; Jenkins, P. P.*; Tibbits, T. N. D.*; 今泉 充*; 大島 武; 佐藤 真一郎; Walters, R. J.*

Gonzlez, M.*; Hoheisel, R.*; Lumb, M.*; Scheiman, D.*; Bailey, C. G.*; Lorentzen, J.*; Maximenko, S.*; Messenger, S. R.*; Jenkins, P. P.*; Tibbits, T. N. D.*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Sato, Shinichiro; Walters, R. J.*

多重量子井戸(MQW)構造をもつInGaP/MQW-InGaAs/Ge三接合太陽電池と、その構成サブセルについて1MeV電子線と3MeV陽子線照射による放射線耐性評価を行った。発電特性評価に加え、電流・電圧特性、外部量子効率測定、エレクトルミネッセンス測定を行い、特性劣化の詳細を明らかにした。その結果、ミドルセル(MQW-InGaAs)の劣化が顕著であり、これが三接合太陽電池全体の劣化特性を支配していることから、MQW構造のさらなる改善が必要であることが明らかとなった。

The radiation response of multi quantum wall (MQW) triple junction and component cells was analyzed. Initial results show that for 1MeV electron irradiation the middle MQW cell governs the degradation of the triple junction. This is attributed the specific middle cell design, in particular the thick 0.98 m depletion region, and alternative, more radiation hard, designs are presented. Additionally, characterization studies, including dark IV, external quantum efficiency, electroluminescence, as well as defect characterization were investigated.