Unique surface structure formation on Ge covered Si(110) surface

Si(110)表面でのSi-Ge新規表面構造形成

Yokoyama, Yuta; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito

本研究では、ストライプ構造を有するSi(110)-162再構成表面へGe原子をMBEにより蒸着することで、新たなSi-Geナノ構造の作製を目指した。室温のSi表面へGeをおよそ1原子層蒸着した後、700 $^{circ}$ Cで加熱することで、基板の162構造とは異なる方向、間隔をもつ新たなストライプ構造が形成されることを見いだした。これは、表面のSi原子とGe原子が混ざり合ったSi-Geによる構造であると考えられる。また、Geの蒸着量や加熱温度により、ストライプの方向や間隔が変化することも明らかとなった。この表面は、特定の方向のみに沿ったストライプ構造により構成されており、大きな異方性をもつ。本表面上へ薄膜を作製した場合、薄膜への異方的ストレス印加が期待される。薄膜へのストレス印加による表面物性の変化は非常に興味深い分野であり、本研究で得られた表面を用いることで、今後さらなる研究の発展が期待される。

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発表会議名	:	19th International Vacuum Congress (IVC-19)/International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T 2013)/15th International Conference on Surfaces Science (ICSS-15)
開催年月	:	2013/09
開催都市	:	Paris
開催国	:	France
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	第4研究棟
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登録番号 : BB20131075
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