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MeV領域のCu$$^{4+}$$とC$$_{60}$$$$^{+}$$イオンの透過によるSiN薄膜上のアミノ酸の前方2次イオン放出

Forward emission of secondary ions from phenylalanine films on SiN membranes penetrated by MeV Cu$$^{4+}$$ and C$$_{60}$$$$^{+}$$ from the backside

永野 賢悟*; 中嶋 薫*; 鈴木 基史*; 木村 健二*; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一

Nagano, Kengo*; Nakajima, Kaoru*; Suzuki, Motofumi*; Kimura, Kenji*; Narumi, Kazumasa; Saito, Yuichi

高分子や生体試料を高感度に分析できるという理由から、クラスターイオンやMeV重イオンを用いた2次イオン質量分析法(SIMS)が医学や生命科学の分野で近年注目されている。高分子・生体試料の質量分析に応用するには、試料を構成する高分子がイオン化する際のフラグメンテーションを極力抑えることが非常に重要である。なぜならフラグメテーションのために、質量スペクトルの解析が非常に複雑になるからである。そこで本研究では、2次イオンのフラグメンテーションの抑制を目的として、SiN薄膜上にフェニルアラニンを蒸着し、試料の背面から6MeVのCu$$^{4+}$$と5MeVのC$$_{60}$$$$^{+}$$イオンを照射することによって前方に放出される2次イオンの質量分析を行い、フラグメンテーション抑制効果及び分子イオン収率向上に関する有効性を調べた。その結果、Cu$$^{4+}$$イオンと比べ、C$$_{60}$$$$^{+}$$イオンの場合はフラグメンテーションを抑えることに有効であり、さらにフェニルアラニン分子イオンの収率が約8倍に増えることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本物理学会2013年秋季大会(物性)

開催年月

 :

2013/09

開催都市

 :

徳島

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

産業技術総合研究所; 京都大学

Access

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