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Radiation-induced currents in 4H-SiC dosimeters for real-time $$gamma$$-ray dose rate monitoring

4H-SiC検出器中の即時$$gamma$$線量率計としての放射線誘起電流

藤田 奈津子 ; 岩本 直也; 小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武

Fujita, Natsuko; Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(SiC)は耐放射線性デバイスへの応用が期待され、高温下での安定動作も可能であるため、$$gamma$$線検出器の候補材料となりうる。そこで本研究では$$gamma$$線によってSiC検出器に誘起される電流を測定し、線量率計として使用できるか検討した。$$gamma$$線の線量率を0.4Gy/hから4kGy/hのとき、バイアス電圧が5V以上では吸収線量と$$gamma$$線誘起電流の間に良い直線性があり、傾きが約1であることがわかった。これは、SiC検出器が線量率計として使用できることを示している。

A Silicon Carbide (SiC) dosimeter has been exposed to $$gamma$$-rays emitted from a $$^{60}$$Co source in order to test the response of radiation-induced current in the dose rate ranging from 0.4 Gy/h to 4 kGy/h. The SiC dosimeter in this study is a high purity semi-insulating 4H-SiC with nickel and aluminum electrode. The radiation-induced currents in the dosimeter show a linear relationship with the dose rate, and are repeatable and stable.

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