4H-SiC MOSキャパシタの放射線照射効果の酸化膜依存性

Oxidation condition dependence of radiation effects on 4H-SiC MOS capacitors

牧野 高紘; 出来 真斗*; 藤田 奈津子   ; 岩本 直也; 小野田 忍; 大島 武

Makino, Takahiro; Deki, Manato*; Fujita, Natsuko; Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

高放射線場へのデバイス応用のためには、イオン照射効果の解明に加えて、線照射効果を含めた様々な放射線の複合照射効果を明らかにする必要がある。Siデバイスでは、線照射を行ったデバイスにおけるイオン照射効果に関して多くの研究がなされている。一方、SiC MOSデバイスに関して、線照射効果についてはこれまでいくつか報告されており、その高い線耐性を確認しているが、それらのイオン誘起破壊現象に関してはよくわかっていない点が多い。そこで、SiC MOS(Metal Oxide Semiconductor)キャパシタにおけるSEGR(Single Event Gate Rupture)のLET(Liner Energy Transfer)依存性の他に、それぞれのMOSキャパシタに対し線照射をしたうえでSEGR耐性評価を行った。その結果、MOSキャパシタへの照射量が60MRadまでの範囲では、容量電圧特性がわずかに変化するが、SEGRのLET依存性に関してはほとんど影響が見えないということがわかった。

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