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窒化物半導体発光デバイスの陽子線照射効果

Proton irradiation effects on light emitting devices of nitride semiconductors

岡田 浩*; 岡田 雄樹*; 関口 寛人*; 若原 昭浩*; 佐藤 真一郎; 大島 武

Okada, Hiroshi*; Okada, Yuki*; Sekiguchi, Hiroto*; Wakahara, Akihiro*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

窒化ガリウム(GaN)などの窒化物半導体は、広いバンドギャップに加えて機械的、化学的安定性を有していることから、宇宙空間などの苛酷環境下で動作するデバイスへの応用が期待されている。今回は、GaN系発光デバイスの耐放射線性を調べるために、n型層およびp型層に380keV陽子線照射を行い、照射前後での電気抵抗の変化を調べた。n型層では1$$times$$10$$^{14}$$cm$$^{-2}$$照射後でも抵抗値に変化がないのに対し、p型層では1$$times$$10$$^{14}$$cm$$^{-2}$$照射後に明らかな抵抗増加が起こり、1$$times$$10$$^{15}$$cm$$^{-2}$$照射後には6桁以上の抵抗増加が生じた。これは、p型層の正孔密度が10$$^{17}$$cm$$^{-3}$$程度とn型層の電子密度に比べて1桁以上低いことに起因していると考えられる。このような結果は過去に我々が報告したフォトルミネッセンス強度の変化と良い一致を示しており、両者は同一の照射効果に起因している可能性がある。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

第8回高崎量子応用研究シンポジウム

開催年月

 :

2013/10

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊橋技術科学大学

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