重イオンマイクロビームを利用したワイドバンドギャップ半導体の欠陥準位評価技術の開発

Development of a new defect level characterization technique using heavy ion microbeams for wide bandgap semiconductors

岩本 直也; 小野田 忍; 藤田 奈津子   ; 牧野 高紘; 大島 武

Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Fujita, Natsuko; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

重イオンマイクロビームを利用したワイドバンドギャップ半導体の欠陥評価技術の開発の現状を報告する。本評価技術では、重イオンの入射によってワイドバンドギャップ半導体デバイスに発生する過渡電流の温度依存性を測定することで、バンドギャップ中に存在する欠陥準位を検出する。既に、放射性同位元素から放出されるアルファ粒子を利用した欠陥評価技術の開発に成功しており、現在、同様の測定システムを重イオンマイクロビームラインに構築中である。マイクロビームを用いることで、欠陥の二次元マッピングが可能になり、さらに重イオンを用いることで、アルファ粒子の場合よりも数桁高い密度の電荷が生成されるため、欠陥の検出感度が向上することが期待できる。

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