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$$gamma$$線を照射した4H-SiC MOSキャパシタにおけるイオン誘起破壊

Single event gate rupture on $$gamma$$-ray irradiated 4H-SiC MOS capacitors

牧野 高紘; 出来 真斗*; 藤田 奈津子   ; 岩本 直也; 小野田 忍; 大島 武

Makino, Takahiro; Deki, Manato*; Fujita, Natsuko; Iwamoto, Naoya; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

高放射線場への半導体デバイス応用のためには、単一イオン照射効果の解明に加えて、$$gamma$$線による積算照射効果を含めた様々な放射線の複合照射効果を明らかにする必要がある。Si MOS(Metal Oxide Semiconductor)デバイスでは、$$gamma$$線やイオン照射効果に関して多くの研究がなされている。一方、SiC MOSデバイスでは、$$gamma$$線照射効果、および複合照射効果に関していくつか報告されており、その高い$$gamma$$線線耐性を確認しているものの、それらのイオン誘起破壊現象に関してはよくわかっていない点が多い。そこで、SiC MOSキャパシタにおけるSEGR(Single Event Gate Rupture)のLET(Linere Energy Transfer)依存性を調べた。それぞれのMOSキャパシタに対し$$gamma$$線照射をしたうえでSEGR耐性評価を行い複合照射効果を調べた。その結果、MOSキャパシタへの照射量が600kGyまでの範囲では、容量電圧特性がわずかに変化するものの、SEGRのLET依存性に関してはほとんど影響が見えないということがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

SiC及び関連半導体研究第22回SiC講演会

開催年月

 :

2013/12

開催都市

 :

さいたま

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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