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ナス小胞子へのイオンビーム照射による突然変異体の作出

A Method for producing mutant eggplant (Solanum Melongena L.) by ion beam irradiation of microspores

佐伯 由美*; 内村 要介*; 長谷 純宏

Saiki, Yumi*; Uchimura, Yosuke*; Hase, Yoshihiro

ナスの突然変異体の作出を目的として、ナス小胞子に対するイオンビームの最適な照射条件を炭素イオン$$^{12}$$C$$_{6}$$+(320MeV)を用いて検討した。その結果、照射線量の増加とともに小胞子由来のカルスの生存率は直線的に低下した。突然変異体は、0.5Gy照射では78個体のうち色素が欠失した変異体が1個体、1Gy照射では95個体のうち葉が黄緑化した変異体が1個体出現した。この2つの線量で照射した小胞子由来のカルスの生存率は80%以上であった。カルス生存率と変異体作出数からみて、ナスの小胞子に$$^{12}$$C$$_{6}$$+(320MeV)イオンビームを0.5$$sim$$1Gyの線量で照射すると、照射当代で突然変異体を誘発できることが示唆された。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

福岡県農業総合試験場研究報告

巻

 :

号

 :

33

ページ数

 :

p.39 - 42

発行年月

 :

2014/03

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

福岡県農業総合試験場

Access

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