Effect of proton irradiation on AlGaN/GaN micro-Hall sensors

窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムマイクロホールセンサーの陽子線照射効果

Abderrahmane, A.*; 小出 将太*; 岡田 浩*; 高橋 大樹*; 佐藤 真一郎; 大島 武; Sandhu, A.*

Abderrahmane, A.*; Koide, Shota*; Okada, Hiroshi*; Takahashi, Hiroki*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi; Sandhu, A.*

380keV陽子線照射による窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム(AlGaN/GaN)マイクロホール効果センサーの磁電特性の変化を調べた。その結果、照射量の増加とともに、電流・電圧特性の劣化、センサーの磁気感度安定性の低下が観察された。加えて、高温領域で電子移動度が劇的に減少し、その結果シート抵抗が急激に増加することも判明した。ラマン分光法による分析から、これらがGaN結晶性の低下に起因するものであることが分かったが、結晶歪みは観測されなかった。

The magnetoelectric properties of AlGaN/GaN micro-Hall effect sensors were studied after 380 keV proton irradiation. After irradiation the current-voltage measurements, stability of the magnetic sensitivity of the sensors, and the sheet electron density were degraded with a dramatic decrease of the electron mobility at high temperatures. Raman spectroscopy showed a degradation in the crystalline quality of GaN crystal, but there was no change in the strain.