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イオンビームスパッタ蒸着法によるEr$$_{2}$$O$$_{3}$$高配向薄膜の作製

Fabrication of highly oriented Er$$_{2}$$O$$_{3}$$ thin films by ion beam sputter deposition method

藤田 将弥*; 山口 憲司; 朝岡 秀人  ; Mao, W.*; 近田 拓未*; 鈴木 晶大*; 寺井 隆幸*

Fujita, Masaya*; Yamaguchi, Kenji; Asaoka, Hidehito; Mao, W.*; Chikada, Takumi*; Suzuki, Akihiro*; Terai, Takayuki*

Er$$_{2}$$O$$_{3}$$は、高温で安定かつ耐食性や絶縁性に優れ、核融合炉において、三重水素の拡散透過を抑制するための配管被覆用材料等として研究が進められている。従来のプラズマPVD法等で作製した1$$mu$$mほどの厚さのEr$$_{2}$$O$$_{3}$$膜の研究において、三重水素は膜中の細孔や結晶粒界を通して透過していくことが示唆されている。透過メカニズムの解明及び格段の透過抑制を図るため、Er$$_{2}$$O$$_{3}$$膜中の結晶粒界を制御した膜の作製が期待されている。本研究は、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$の高品位膜の作製に成功した実績を有するイオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法を用い、配向性の高い連続したEr$$_{2}$$O$$_{3}$$単結晶膜の作製条件の探索を目的としている。その結果、973Kで蒸着を行った場合、蒸着後に973Kを保ったまま加熱を継続することで配向性が良くなることが分かった。さらに、加熱を継続する時間に注目すると、加熱時間が長くなるほど配向性が良くなることが分かった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2014/09

開催都市

 :

札幌

開催国

 :

日本

キーワード

 :

sputter etching; ion irradiation; thin film

特許データ

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広報プレスリリース

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