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Molecular orientation of pentacene derivative

ペンタセン誘導体の分子配向効果

池浦 広美*; 関口 哲弘

Ikeura, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro

$$pi$$積層型有機電導性分子は分子エレクトロニクスへの応用が広く期待されている。有機半導体における伝導帯の電子構造の直接的な観測が行えれば、電導メカニズムの理解が一層進むと期待される。ペンタセンに置換基を導入した誘導体分子はより良い電子性能が発揮されることが実証されている。本研究ではペンタセン誘導体の薄膜に関して、放射光を用いた角度依存X線吸収端微細構造(NEXAFS)法により表面配向効果を明らかにし 薄膜分子積層モデルを考察した。また、DVX$$alpha$$密度汎関数法を用い、価電子帯の状態密度や軌道対称性を計算した。また内殻電子軌道から空軌道への共鳴遷移エネルギーと遷移強度を求め、X線吸収実験の結果と比較した。

Organic electrically conducting $$pi$$-stacked small molecules are widely regarded as promising materials for future application of low-cost and flexible nanoelectronics. Pentacene is one of the most promising organic semiconductors because of its excellent device performance. Direct measurements of electronic structures of unoccupied states of organic semiconductors lead to better understanding of mechanism of electron conduction. For probing unoccupied partial density of states (DOS), X-ray absorption spectroscopy (XAS) is commonly used, where selective excitation of the 1s core electron to the unoccupied conduction band is possible. The molecular orientation of pentacene derivative has been investigated by angle dependent XAS measurements. Electronic states were calculated by DVX$$alpha$$ method.

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