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スピン偏極陽電子消滅法による空孔誘起磁性の評価

Observation of vacancy-induced magnetizm by the spin-polarized positron annihilation spectroscopy

前川 雅樹; Zhou, K.*; Zhang, H.; Li, H.; 河裾 厚男

Maekawa, Masaki; Zhou, K.*; Zhang, H.; Li, H.; Kawasuso, Atsuo

ナトリウム線源と固体ネオン減速材により構成される高輝度陽電子ビーム発生装置により形成したスピン偏極低速陽電子ビームを電磁石内に導入し、磁場中にある試料の消滅$$gamma$$線の強磁場印加下その場測定が行えるシステムを開発した。ビーム径は1mm以下、ビーム強度1$$times$$10$$^5$$個/s、スピン偏極率は27%であり、磁場は最大1Tを印加可能である。この測定システムを用い、炭化ケイ素(SiC)中の空孔誘起磁性の検出を試みた。炭化ケイ素に2MeV電子線照射を行い空孔を生成し、正負磁場における陽電子消滅パラメータの差分を計測した。3C-SiC(n型)結晶に照射量は1.5$$times$$10$$^{18}$$e$$^-$$/cm$$^2$$である。現在のところ、$$pm$$1Tの磁場印加下測定において正負磁場で有意な差は見いだせていないが、今後ビームや装置の改良を行い測定精度を上げていく予定である。

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