イオンビームスパッタ蒸着法を用いたEr $_{2}$ O $_{3}$ 膜の作製における照射イオン種の効果

Effect of bombarding ion species during fabrication of Er $_{2}$ O $_{3}$ film by means of ion beam sputter deposition

藤田将弥*; 山口憲司; 朝岡秀人 ; Mao, W.*; 近田拓未*; 鈴木晶大*; 寺井隆幸*

Fujita, Masaya*; Yamaguchi, Kenji; Asaoka, Hidehito; Mao, W.*; Chikada, Takumi*; Suzuki, Akihiro*; Terai, Takayuki*

イオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法により、シリコン(Si)基板上に組成・構造制御したEr $_{2}$ O $_{3}$ 薄膜の作製を行っている。蒸着時のスパッタに使用するイオン種をO $^{2+}$ とすることで酸素不足を解消し、界面層のErSi $_{2}$ 生成を抑制することに成功した。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2015年(平成27年)第62回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2015/03
開催都市	:	平塚
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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イオンビームスパッタ蒸着法を用いたErO膜の作製における照射イオン種の効果

Effect of bombarding ion species during fabrication of ErO film by means of ion beam sputter deposition

イオンビームスパッタ蒸着法を用いたEr $_{2}$ O $_{3}$ 膜の作製における照射イオン種の効果

Effect of bombarding ion species during fabrication of Er $_{2}$ O $_{3}$ film by means of ion beam sputter deposition