Si(111)77再構成表面ストレスのその場測定

In situ stress characterization of Si(111) 77 reconstruction

Asaoka, Hidehito; Uozumi, Yuki; Suzuki, Shota*; Yamaguchi, Kenji

表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。我々はSi(111)77再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、最表面の再構成構造に起因するストレスを実験的に捉えることに成功した。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	日本物理学会第70回年次大会
開催年月	:	2015/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
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