Total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD) for structure determination of topmost surface layer

全反射高速陽電子回折法による最表面層の構造決定

深谷 有喜   

Fukaya, Yuki

現在、ナノテクノロジーの急速な進歩に伴い、低次元性由来の特異な物性を発現する物質表面やその表面上に構築したナノ構造が注目されている。これらの表面ナノ構造の原子配置を決定するためには、プローブに極めて高い表面敏感性が要求される。本研究で用いる全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は、電子の反粒子である陽電子をプローブとした構造解析手法である。陽電子は電子とは逆のプラスの電荷をもつため、陽電子に対する結晶ポテンシャルは常に障壁として働く。そのため、低視射角入射の陽電子ビームは物質表面で全反射を起こす。全反射した陽電子は、主に最表面層の情報のみを含む。全反射の臨界角を少し超えた入射条件では、最表面層直下の情報も得ることができる。したがって、TRHEPD法では、バルクの影響なしに最表面とその直下の構造を精度よく決定できる。講演では、本手法の詳細と、金属基板上に作製したグラフェンとシリセンの構造決定について報告する。

no abstracts in English