その場放射光X線回折によるMBE成長GaNの初期成長ひずみ観測

Observation of initial strain in MBE-grown GaN by in situ synchrotron X-ray diffraction

佐々木 拓生; 出来 亮太; 高橋 正光

Sasaki, Takuo; Deki, Ryota; Takahashi, Masamitsu

窒化ガリウム(GaN)の初期成長ひずみは、結晶成長メカニズムの理解だけでなく、各種光・電子デバイスの構造設計のための基本情報となる。そこで、本研究はGaNの初期成長ひずみを測定するため、放射光を用いたその場X線回折を実施した。その結果、初期成長における格子定数の変化は面内方向に比べ、面内垂直方向で著しく、ポアソン比で決まる従来の弾性変形とは異なる挙動を示すことを見いだした。弾性ひずみに加えて、結晶中へのアンチサイト欠陥の取り込みを仮定した静水圧ひずみを考慮することで、実験結果を再現できた。このことから、GaNの初期成長は弾性変形に加え、点欠陥の取り込みが作用している可能性を示唆した。

no abstracts in English