大面積Si(110)清浄表面の作製とその構造評価

Fabrication of clean Si(110) surface in large area and evaluation of the structure

Suzuki, Shota; Asaoka, Hidehito; Uozumi, Yuki; Yamaguchi, Kenji

様々な物性測定を可能とする大面積Si(110)基板の適切な清浄化手法を確立するため、化学処理による水素終端処理、酸化膜作製処理を施した822mmサイズSi(110)基板の加熱を行い、清浄化手法適用後の表面比較を試みた。表面LEED像を比較した結果、酸化膜作製処理基板から得た表面は水素終端処理基板から得た表面よりも、清浄表面特有の162構造を示す回折点が鮮明に現れており、また、広範囲で構造を確認することができた。以上から、大面積Si(110)基板の清浄化手法として、酸化膜作製基板の加熱酸化膜除去による手法が適切であることが分かった。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第6回真空・表面科学若手研究会
開催年月	:	2015/12
開催都市	:	つくば
開催国	:	日本
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