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荷電交換反応を通した廊下状態の理論的研究

Theoretical study of hallway state via charge exchange reaction

福井 徳朗; 湊 太志   

Fukui, Tokuro; Minato, Futoshi

原子核の励起状態を微視的構造模型を用いて精密に記述するためには、1粒子1空孔(1p-1h)状態の重ね合わせだけでなく、高次の粒子空孔状態の取り扱いが極めて重要であることが知られている。例えばスピン・アイソスピン反転を伴うGamow-Teller (GT)遷移においては、遷移強度が多粒子多空孔($$m$$p-$$m$$h)状態などの影響で和則を満たさないことが知られている。このような観点から、GT遷移強度における2粒子2空孔(2p-2h)状態の影響を、Skyrme力を採用したsecond Tamm-Dancoff approximation (STDA)模型を用いて分析した結果が近年報告された。本研究では、先の分析で得られた結果の理解をさらに深めるために、実験と直接比較が可能な荷電交換反応の断面積における2p-2h効果の影響を分析する。遷移密度の計算にはSTDA模型を採用し、始・終状態間の原子核の遷移をLane模型によって記述する。荷電交換反応に対する遷移行列の計算にはdistorted-wave Born approximation (DWBA)を用いる。具体例として$$^{48}$$Ca($$p$$, $$n$$)$$^{48}$$Sc反応を対象とし、その断面積の角度分布における2p-2h効果の寄与を分析する。さらに、遷移密度の計算にsecond random phase approximation (SRPA)を採用することにより、STDAでは考慮されていなかった原子核の基底状態の相関の効果を議論する。

no abstracts in English

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