全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は、物質表面で起こる陽電子の全反射を利用した表面敏感な構造解析手法である。陽電子は電子とは逆のプラスの電荷をもつため、陽電子に対するすべての結晶ポテンシャルはプラスの値をとる。したがって、スネルの法則により、陽電子に対する屈折率は1以下となる。このことは、低視射角で入射した陽電子ビームは物質表面で全反射を起こすことを意味する。全反射条件下では、陽電子の物質中への侵入深さは1原子層分に相当するため、主に最表面層の情報のみを得ることができる。全反射の臨界角を少し超えた入射条件では、最表面層直下の情報も得ることができる。したがって、TRHEPD法では、バルクの影響なしに最表面とその直下の構造を精度よく決定できるため、基板上に保持されたグラフェンなどの二次元原子層物質の構造決定に非常に有用である。講演では、本手法の詳細と、金属基板上に作製したグラフェンの構造決定およびインターカレーションによるグラフェンと金属基板界面の構造変化について報告する。
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使用言語 |
: | English |
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発行年月 |
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発表会議名 |
: | 14th International Workshop on Slow Positron Beam Techniques and Applications (SLOPOS-14) |
開催年月 |
: | 2016/05 |
開催都市 |
: | Matsue |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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