シリコン酸化膜上のグラフェン薄膜の熱的安定性の解析

Analysis of thermal stability of graphene thin layers on silicon oxide films

小川 新*; 大野 真也*; 吉越 章隆 

Ogawa, Arata*; Ono, Shinya*; Yoshigoe, Akitaka

グラフェンは、次世代の電子デバイス材料として有望である。放射光光電子分光を用いたその場観察によって、Si基板上のグラフェンの熱的安定性に関する評価をしたので報告する。酸化シリコン基板上にCVD成長したグラフェンのC1s, O1s, Si2p光電子分光実験をSPring-8 BL23SUの表面化学実験装置を使って行った。グラフェン構造の温度依存性を観察し、室温ではシリコン酸化膜に張り付いた構造になっているが、温度上昇とともに表面法線方向に動いて浮き上がった状態を取ることが示唆された。

Graphene is an attracting material for future electronic devices. In this conference, we report the study on the analysis of thermal stability of graphene thin layers on silicon oxide films. Photoemission experiments of CVD graphene grown on oxidized silicon substrates using surface chemistry apparatus at BL23SU in SPring-8 were conducted to measure C1s, O1s and Si2p. Temperature dependence of graphene structures was observed to suggest attached graphene monolayer at room temperature, whereas floated graphene monolayer seems to be formed when the substrate temperature increases.