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Asymmetrically optimized structure in a high-$$T_{rm c}$$ single unit-cell FeSe superconductor

単層FeSe高温超伝導体における非対称最適化構造

深谷 有喜; Zhou, G.*; Zheng, F.*; Zhang, P.*; Wang, L.*; Xue, Q.-K.*; 社本 真一

Fukaya, Yuki; Zhou, G.*; Zheng, F.*; Zhang, P.*; Wang, L.*; Xue, Q.-K.*; Shamoto, Shinichi

本研究では、SrTiO$$_{3}$$基板上の単層FeSeの構造が上下方向に非対称化していることを報告する。SrTiO$$_{3}$$基板上の単層FeSeは、鉄系超伝導体において最も高い転移温度(50K以上)を示す。全反射高速陽電子回折(TRHEPD)を用いた構造解析の結果、真空側と界面側のSe-Fe層間隔は異なり、上下方向に非対称な構造であることがわかった。これらの層間隔および結合角の平均値は、圧力下のバルクFeSeにおいて高い転移温度を示す最適値と一致している。したがって、SrTiO$$_{3}$$基板上の単層FeSeは非対称化することにより高い転移温度を発現するための最適構造を形成したと考えられる。

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パーセンタイル:35.76

分野:Physics, Condensed Matter

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