全反射高速陽電子回折による2次元物質の構造決定

Structure determination of two-dimensional materials by total-reflection high-energy positron diffraction

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は反射高速電子回折(RHEED)の陽電子版である。電子の反粒子である陽電子は、電子と同じ質量, 電荷, スピンを持つが、電荷の符号が電子とは逆のプラスである。そのため、陽電子は物質の結晶ポテンシャルから斥力を受ける。特に、陽電子ビームが試料表面にすれすれの角度で入射すると、物質中に取りうる状態が存在せず全反射が起こる。全反射条件下における陽電子ビームの物質中への侵入深さはおよそ1以下であり、原子1個分の厚みにしか満たない。したがって、TRHEPDでは表面に特化した構造解析が可能であり、原子1個分の厚みしか持たない2次元物質の構造決定に有効となる。講演の前半では、陽電子ビームの表面敏感性について説明し、後半では、TRHEPD法を用いた金属基板上のグラフェン, シリセン, ゲルマネンの構造決定について報告する。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2019年(平成30年)第66回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2019/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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