次世代宇宙用AlInGaP太陽電池における変位損傷量法による低エネルギー電子線劣化予測精度の向上

Development of prediction accuracy of low energy electron degradation on displacement damage method for next generation AlInGaP space solar cells

奥野 泰希; 今泉 充*; 秋吉 優史*

Okuno, Yasuki; Imaizumi, Mitsuru*; Akiyoshi, Masafumi*

人工衛星に使用される宇宙太陽電池では、現在、変位損傷量(DDD)法と呼ばれる劣化予測手法が構築されている。次世代宇宙用太陽電池として、現在InGaP/GaAs/Ge-3接合型(3J)太陽電池のトップサブセルであるInGaP太陽電池をAlInGaP太陽電池へ置き換えることが検討されている。先行研究において、InP系太陽電池は、Pのはじき出し閾値エネルギー(Ed)が、材料に依存することが報告されている。Edは、低エネルギー粒子線入射時の欠陥導入量の見積もりへ影響を与えることから、本研究では、低エネルギー電子線照射におけるAlInGaP太陽電池の高精度な劣化予測を可能とするEdを解析した。

For space solar cells, a displacement damage dose (DDD) method is currently being constructed for prediction by radiation degradation. As a next-generation space solar cell, InGaP solar cell, which is the top subcell of the InGaP / GaAs / Ge-3 junction type (3J) solar cell, is considered to replace with AlInGaP solar cell. In previous studies, it was reported that the threshold energy (Ed) of P in InP-based solar cell differs by depending on material. Since Ed affects the degradation prediction in the case of incidention of a low energy particle beam, we analyzed the Ed which enables highly accurate of the degradation prediction in AlInGaP solar cells under low energy electron beam irradiation.