SiCワイヤにおける二次電子放出の大強度ビームに対する耐久性

Durability of secondary electron emission for high-intensity beam on SiC wire

明午 伸一郎   ; 中野 敬太   ; 大久保 成彰   ; 湯山 貴裕*; 石井 保行*

Meigo, Shinichiro; Nakano, Keita; Okubo, Nariaki; Yuyama, Takahiro*; Ishii, Yasuyuki*

原子炉の廃棄物の有害度低減に用いる加速器駆動システム(ADS)や大強度核破砕中性子源の安定した運転のためには、ビームプロファイルモニタが重要となる。J-PARCの核破砕中性子源では、炭化珪素(SiC)の二次電子弾き出しによるマルチワイヤ-プロファイルモニタ(MWPM)用い測定を行っている。ADSのターゲット等の材料試験のためにJ-PARCで建設を計画している陽子照射施設でも、SiC製のMWPMを用いる予定としている。SiCのビーム耐久性が重要となるため、HeおよびArイオンビームを用いてSiCワイヤの劣化を測定した。本研究ではまた、2次元のビームプロファイル取得のため、蛍光型プロファイルモニタの開発を行った。アルミナを用いた蛍光体に対し、ArおよびXeイオンビームを入射し、蛍光スペクトルの測定を行った。

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