TlBr結晶の中性子回折イメージとEBSD像の比較

A Comparison between neutron diffraction and EBSD images for a TlBr crystal

渡辺 賢一*; 人見 啓太朗*; 野上 光博*; 前田 茂貴   ; 伊藤 主税   ; 丹野 敬嗣  ; 尾鍋 秀明*

Watanabe, Kenichi*; Hitomi, Keitaro*; Nogami, Mitsuhiro*; Maeda, Shigetaka; Ito, Chikara; Tanno, Takashi; Onabe, Hideaki*

TlBrは高い原子番号・密度、広いバンドギャップを有する化合物半導体で、室温動作可能かつ高い検出効率を有するガンマ線検出器材料として開発が進められている。デバイス作製における歩留まりの向上のために結晶の品質評価手法を確立するため、中性子回折があるが、実施可能な施設がJ-PARC等の大型施設に限られている。電子線回折の一つである電子後方散乱回折(Electron Backscatter Diffraction: EBSD)像は電子顕微鏡で取得可能であるが、結晶表面の情報しか取得できない。今回、TlBr結晶に対し、中性子回折の一つである中性子ブラッグディップイメージングとEBSDにより結晶方位像を取得し、その両者を比較することで、簡便なEBSDによる結晶の品質評価手法への適用可能性を検討した。

TlBr is a compound semiconductor with a high atomic number, high density and a wide bandgap, and is being developed as a gamma-ray detector material that can be operated at room temperature and has high detection efficiency. There is neutron diffraction in order to establish a crystal quality evaluation method for improving the yield in device fabrication, but the facilities that can be implemented are limited to large facilities such as J-PARC. The Electron Backscatter Diffraction (EBSD) image, which is one of the electron beam diffractions, can be obtained with an electron microscope, but only the information on the crystal surface can be obtained. In this study, the crystal orientation image was acquired for the TlBr crystal by neutron Bragg dip imaging, which is one of the neutron diffractions, and EBSD. By comparing both images, the applicability to a simple EBSD crystal quality evaluation method was examined.