Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices

SiC (1-100) MOSデバイスの窒化による劣化

小林 拓真*; 中沼 貴澄*; 鈴木 亜沙人*; 染谷 満*; 岡本 光央*; 吉越 章隆 ; 志村 考功*; 渡部 平司*

Kobayashi, Takuma*; Nakanuma, Takato*; Suzuki, Asato*; Sometani, Mitsuru*; Okamoto, Mitsuo*; Yoshigoe, Akitaka; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

(1-100)m面などの非基底面上に作製したSiC MOSFETでは、窒化により高いチャネル移動度(100cmVs)が得られる。また、非基底面は(0001)Si面に形成したトレンチの側壁に現れるため、低オン抵抗のトレンチMOSFETに直接適用可能である。それらの利点にも関わらず、非基底面上MOSデバイスの電気特性は十分に調査されていない。本研究では、特にm面に焦点を当て、MOSデバイスの物理的および電気的特性を詳細に調査した。

Together with a standard NO nitridation, a high channel mobility ( 100 cmVs) is obtained for SiC MOSFETs fabricated on non-basal planes, such as (1-100) m-face. Since these planes appear on the side wall of trench formed on (0001) Si-face, they can be directly applied to trench MOSFETs which have low on-resistance. Despite their advantages, the characteristics of MOS devices on non-basal planes, including the impact of nitridation, is not well investigated. In this work, we focused on SiC MOS devices on m-face and studied their physical and electrical characteristics in detail.